Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Nolasco Rosario, Eduardo
Otras Contribuciones: Ramos Peña, Angélica Estrella (Asesor)
Formato: Tesis de licenciatura
Lenguaje:Español
Publicado: 2014
Materias:
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000715120
http://132.248.9.195/ptd2014/junio/0715120/Index.html
_version_ 1777517194633019392
author Nolasco Rosario, Eduardo
author2 Ramos Peña, Angélica Estrella
author2_role Asesor
author_facet Ramos Peña, Angélica Estrella
Nolasco Rosario, Eduardo
author_sort Nolasco Rosario, Eduardo
collection DSpace
dc:degree.department Facultad de Química
dc:degree.department_facet Facultad de Química
dc:degree.grantor Universidad Nacional Autónoma de México
dc:degree.level Licenciatura
dc:degree.name Ingeniero Químico
dc:degree.name_facet Ingeniero Químico
dc:rights http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
Acceso en línea sin restricciones
format Tesis de licenciatura
id 20.500.14330-TES01000715120
institution Universidad Nacional Autónoma de México
language Español
publishDate 2014
record_format dspace
spelling 20.500.14330-TES010007151202021-05-20T18:08:34Z Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2 Nolasco Rosario, Eduardo Ramos Peña, Angélica Estrella Ciencias Biológicas, Químicas y de la Salud Ciencias Físico-Matemáticas e Ingenierías 2014 Tesis de licenciatura publishedVersion https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000715120 http://132.248.9.195/ptd2014/junio/0715120/Index.html spa http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 Acceso en línea sin restricciones MX https://tesiunam.dgb.unam.mx/F?func=direct&current_base=TES01&doc_number=000715120 Ingeniero Químico Universidad Nacional Autónoma de México Facultad de Química Licenciatura
spellingShingle Ciencias Biológicas, Químicas y de la Salud
Ciencias Físico-Matemáticas e Ingenierías
Nolasco Rosario, Eduardo
Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title_full Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title_fullStr Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title_full_unstemmed Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title_short Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2
title_sort estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos nh2 y no2
topic Ciencias Biológicas, Químicas y de la Salud
Ciencias Físico-Matemáticas e Ingenierías
url https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000715120
http://132.248.9.195/ptd2014/junio/0715120/Index.html
work_keys_str_mv AT nolascorosarioeduardo estudioteoricodelaspropiedadeselectronicasdenanoalambressemiconductoresdesicpasivadoscongruposnh2yno2