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Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos  Nh2 y  no2

Estudio teórico de las propiedades electrónicas de nanoalambres semiconductores de sic pasivados con grupos Nh2 y no2

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Nolasco Rosario, Eduardo
Otras Contribuciones: Ramos Peña, Angélica Estrella (Asesor)
Formato: Tesis de licenciatura
Publicado: MX 2014
Materias:
Ciencias Biológicas, Químicas y de la Salud
Ciencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000715120
http://132.248.9.195/ptd2014/junio/0715120/Index.html
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https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000715120
http://132.248.9.195/ptd2014/junio/0715120/Index.html

Ejemplares similares

  • Estudio teórico de propiedades electrónicas de nanoalambres de ZnO con Au
    por: Méndez Reyes, José Miguel
    Publicado: (2016)
  • Monografia de la hidrazina NH2 NH2
    por: Mendez Vivar, Juan
    Publicado: (1982)
  • Propiedades mecánicas y electrónicas de nanoalambres de carburo de silicio
    por: Rangel García, Ángela Miscli
    Publicado: (2018)
  • Aproximación teórica para la funcionalización de nanoalambres de SiC y ZnO para biosensado
    por: Gándara Iglesias, Enrique
    Publicado: (2024)
  • Emision electronica secundaria de materiales semiconductores
    por: Balcarcel Roque, Raul
    Publicado: (1964)

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