Fabricación y caracterización de transistores transparentes tipo P basados en películas delgadas de SnO
Autor principal: | Valdes Nogueron, Citlalli Montserrat |
---|---|
Otras Contribuciones: | Cruz Hernández, Wencel de la (Asesor) |
Formato: | Tesis de licenciatura |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2020
|
Materias: | |
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000801440 http://132.248.9.195/ptd2020/marzo/0801440/Index.html |
Ejemplares similares
-
Sintesis y caracterizacion de nuevas peliculas delgadas semiconductoras transparentes basadas en ZnO y SnO2
por: García Perez, benjamin Alejandro
Publicado: (2005) -
Fabricación y caracterización de microtransistores transparentes de películas ultradelgadas de ZnO tipo n depositadas por la técnica de ablación láser
por: Valdés Noguerón, Citlalli Montserrat
Publicado: (2022) -
Fabricación y caracterización de microdiodos tipo unión p-n usando películas delgadas de SnOx en sustratos flexibles
por: Cervantes Pérez, Josh Luis
Publicado: (2022) -
Estudio de znte tipo p depositado por láser pulsado con aplicación en transistores de películas delgadas
por: Lastra Medina, Gonzalo
Publicado: (2014) -
Fabricación y caracterización de sensor de oxígeno basado en películas delgadas
por: Huerta Salcedo, Juan Antonio
Publicado: (2020)