Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Solorio Martínez, Jocelyn Pamela
Otras Contribuciones:	Castillo, H. A. (Asesor)
Formato:	Tesis de licenciatura
Publicado:	México 2020
Materias:	Ciencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000802935 https://tesiunamdocumentos.dgb.unam.mx/ptd2020/agosto/0802935/Index.html

Descripción
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