Influencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD
| Autor principal: | |
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| Otras Contribuciones: | |
| Formato: | Tesis de maestría |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2008
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519 http://132.248.9.195/ptd2008/octubre/0633519/Index.html |