Influencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD

Influencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD

Bibliographic Details
Main Author:	Santiago Cruz, Félix
Other Authors:	Santana Rodríguez, Guillermo (Asesor)
Format:	Tesis de maestría
Published:	MX 2008
Subjects:	Ciencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías Nanoestructuras Análisis Fotoluminiscencia Nitruro de silicio Razón
Online Access:	https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519 http://132.248.9.195/ptd2008/octubre/0633519/Index.html

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