Influencia de la potencia de RF y la presión en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Gómez González, Luis Andrés
Otras Contribuciones: Santana Rodríguez, Guillermo (Asesor)
Formato: Tesis de maestría
Lenguaje:Español
Publicado: 2011
Materias:
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000667603
http://132.248.9.195/ptb2011/marzo/0667603/Index.html