Influencia de la potencia de RF y la presión en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD
Main Author: | |
---|---|
Other Authors: | |
Format: | Tesis de maestría |
Published: |
MX
2011
|
Subjects: | |
Online Access: | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000667603 http://132.248.9.195/ptb2011/marzo/0667603/Index.html |
Description not available. |