Preparacion de peliculas delgadas de SIO2 con altas tasas de deposito, mediante la tecnica de deposito de vapores quimicos asistido por un plasma remoto inductivo
Autor principal: | Ramirez Vargas, Sergio Julio |
---|---|
Otras Contribuciones: | Alonso Huitrón, Juan Carlos (Asesor) |
Formato: | Tesis de licenciatura |
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
1999
|
Materias: | |
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000279049 http://132.248.9.195/pd1999/279049/Index.html |
Ejemplares similares
-
Caracterizacion de peliculas semiconductoras de SnS preparadas por deposito quimico de vapores asistido por plasma
por: Toriz García, José Juan de Jesus
Publicado: (1996) -
Modelaje de algunas reacciones químicas que ocurren en el depósito de películas delgadas de Snx Sy utilizando el método de depósito químico de vapores asistido por plasma
por: Núñez Acosta, Elisa
Publicado: (2008) -
Efecto de las condiciones de preparacion en las propiedades de particulas delgadas de nitruro de boro producidas por deposito de vapores quimicos que asistidos por plasma
por: Chávez Ramirez, José
Publicado: (1994) -
Instalacion y puesta en operacion de un sistema de deposito de vapores quimicos asistidos por plasma
por: Gutierrez Tintor, Carlos
Publicado: (2003) -
Elaboracion de peliculas delgadas de SnxSy usando el proceso de deposito por vapor quimico asistido por plasma
por: Sánchez Juárez, Aarón
Publicado: (2001)